背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究

张梦蝶; 季雯; 曹茹月; 姜俊松; 尹玉莲; 谭琨; 赵长辉; 张召富; 郭宇铮; 唐曦

doi:10.14188/j.1671-8836.2024.0098

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背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究

物理学与材料科学 | 更新时间：2024-12-24

- 背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究
- Research on Energy Levels and Structures of Carrier Defects in GaN Power Devices under Back-Gating Effects
- “在氮化镓功率器件领域，研究人员通过实验和理论计算揭示了材料缺陷与背栅效应的物理联系，确定了三种主要电子缺陷能级，并研究了缺陷结构。”
- 武汉大学学报（理学版） 2024年70卷第6期页码：763-768
- 作者机构：
  
  1.安徽大学物质科学与信息技术研究院，安徽合肥 230601
  2.武汉大学工业科学研究院，湖北武汉 430072
  3.剑桥大学工程系，英国剑桥 CB2 1PZ
- 作者简介：
  
  张梦蝶，女，硕士生，现从事半导体器件方面的研究，E-mail： q21201006@stu.ahu.edu.cn
  季雯，女，硕士生，现从事半导体相关第一性原理方面的研究，E-mail： q22301206@stu.ahu.edu.cn
  E-mail： rc921@cam.ac.uk（曹茹月），
  xitang@ahu.edu.cn（唐曦）
- 基金信息：
  
  安徽省高校协同创新项目(GXXT-2023-001);安徽省自然科学基金(2308085QF212);武汉大学电子制造与封装集成湖北省重点实验室开放基金(EMPI2023008)
- DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0098
  中图分类号： O474
- 纸质出版日期：2024-12-24，
  
  收稿日期：2024-05-13，
- 稿件说明：
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张梦蝶，季雯，曹茹月，等.背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究［J］.武汉大学学报（理学版），2024，70（6）：763-768. DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0098.

ZHANG Mengdie，JI Wen，CAO Ruyue，et al.Research on Energy Levels and Structures of Carrier Defects in GaN Power Devices under Back-Gating Effects ［J］.J Wuhan Univ （Nat Sci Ed），2024，70（6）：763-768. DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0098（Ch）.
张梦蝶，季雯，曹茹月，等.背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究［J］.武汉大学学报（理学版），2024，70（6）：763-768. DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0098. DOI：

ZHANG Mengdie，JI Wen，CAO Ruyue，et al.Research on Energy Levels and Structures of Carrier Defects in GaN Power Devices under Back-Gating Effects ［J］.J Wuhan Univ （Nat Sci Ed），2024，70（6）：763-768. DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0098（Ch）. DOI：

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